właściwości produktu:
| RODZAJ | OPISAĆ |
| Kategoria | Układ scalony (IC) Wbudowany — FPGA (programowalna przez użytkownika macierz bramek) |
| producent | AMD Xilinx |
| seria | Artix-7 |
| Pakiet | taca |
| Stan produktu | w magazynie |
| Numer LAB/CLB | 4075 |
| Liczba elementów/jednostek logicznych | 52160 |
| Całkowita liczba bitów pamięci RAM | 2764800 |
| Liczba wejść/wyjść | 106 |
| Napięcie — zasilany | 0,95 V ~ 1,05 V |
| rodzaj instalacji | Typ montażu powierzchniowego |
| Temperatura robocza | 0°C ~ 85°C (TJ) |
| Opakowanie/załącznik | 238-LFBGA, CSPBGA |
| Opakowanie urządzenia dostawcy | 238-CSBGA (10x10) |
| Podstawowy numer produktu | XC7A50 |
Zgłoś błąd
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa:
| ATRYBUTY | OPISAĆ |
| Status RoHS | Zgodny ze specyfikacją ROHS3 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 3 (168 godzin) |
| status REACH | Produkty nieobjęte REACH |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
Charakterystyka prądu stałego
Arkusz danych Artix-7 FPGA:
Charakterystyki przełączania prądu stałego i przemiennego
DS181 (v1.27) 10 lutego 2022 r
Specyfikacja produktu
Tabela 1: Bezwzględne maksymalne oceny(1)
Symbol Opis Min. Maks. Jednostki
Logika FPGA
VCCINT
Wewnętrzne napięcie zasilania –0,5 1,1 V
VCCAUX
Napięcie zasilania pomocniczego –0,5 2,0 V
VCCBRAM
Napięcie zasilania blokowych pamięci RAM –0,5 1,1 V
VCCO
Sterowniki wyjściowe zasilają banki I/O HR –0,5 3,6 V
VREF
Wejściowe napięcie odniesienia –0,5 2,0 V
VIN(2)(3)(4)
Napięcie wejściowe we/wy –0,4 VCCO + 0,55 V
Napięcie wejściowe we/wy (gdy VCCO = 3,3 V) dla standardów VREF i różnicowych we/wy
oprócz TMDS_33(5)
–0,4 2,625 V
VCCBATT
Zasilanie awaryjne baterii pamięci klucza –0,5 2,0 V
Transceiver GTP
VMGTAVCC
Napięcie zasilania analogowego dla obwodów nadajnika i odbiornika GTP –0,5 1,1 V
VMGTAVTT
Analogowe napięcie zasilania obwodów terminacji nadajnika i odbiornika GTP –0,5 1,32 V
VMGTREFCLK
Bezwzględne napięcie wejściowe zegara wzorcowego –0,5 1,32 V
Tabela 2: Zalecane warunki pracy(1)(2)
Symbol Opis Min Typ Maks. Jednostki
Logika FPGA
VCCINT(3)
Dla urządzeń -3, -2, -2LE (1,0V), -1, -1Q, -1M: wewnętrzne napięcie zasilania 0,95 1,00 1,05 V
Dla urządzeń -1LI (0,95V): wewnętrzne napięcie zasilania 0,92 0,95 0,98 V
Dla urządzeń -2LE (0,9V): wewnętrzne napięcie zasilania 0,87 0,90 0,93 V
VCCAUX
Napięcie zasilania pomocniczego 1,71 1,80 1,89 V
VCCBRAM(3)
Dla urządzeń -3, -2, -2LE (1,0 V), -2LE (0,9 V), -1, -1Q, -1M: blokowanie zasilania pamięci RAM
Napięcie
0,95 1,00 1,05 V
Dla urządzeń -1LI (0,95V): blok RAM napięcie zasilania 0,92 0,95 0,98 V
VCCO(4)(5)
Napięcie zasilania banków we/wy HR 1,14 – 3,465 V
VIN(6)
Napięcie wejściowe we/wy –0,20 – VCCO + 0,20 V
Napięcie wejściowe we/wy (gdy VCCO = 3,3 V) dla standardów VREF i różnicowych we/wy
oprócz TMDS_33(7)
–0,20 – 2,625 V
IIN(8)
Maksymalny prąd płynący przez dowolny pin w zasilanym lub niezasilanym banku, gdy
polaryzacja do przodu diody zaciskowej.
– – 10 mA
VCCBATT(9)
Napięcie akumulatora 1,0 – 1,89 V
Transceiver GTP
VMGTAVCC(10)
Analogowe napięcie zasilania dla obwodów nadajnika i odbiornika GTP 0,97 1,0 1,03 V
VMGTAVTT(10)
Analogowe napięcie zasilania obwodów końcowych nadajnika i odbiornika GTP 1,17 1,2 1,23 V
