właściwości produktu
RODZAJ
OPISAĆ
Kategoria
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Tranzystor – FET, MOSFET – macierz
producent
Technologie firmy Infineon
seria
HEXFET®
Pakiet
Taśma i szpula (TR)
Pasmo ścinania (CT)
Niestandardowy kołowrotek Digi-Reel®
Stan produktu
w magazynie
typu FET
2 kanały N (podwójne)
Funkcja FET
bramka poziomu logicznego
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd przy 25°C – ciągły drenaż (Id)
8A
Rezystancja włączenia (maks.) przy różnych identyfikatorach, Vgs
17,8 miliomów przy 8 A, 10 V
Vgs(th) (maksimum) przy różnych identyfikatorach
4V przy 50µA
Ładunek bramki (Qg) przy różnych Vgs (maks.)
36nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) przy różnych Vds (maks.)
1330 pF przy 30 V
Moc maks
2W
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
rodzaj instalacji
Typ montażu powierzchniowego
Opakowanie/załącznik
8-SOIC (0,154″, 3,90 mm szerokości)
Opakowanie urządzenia dostawcy
8-SO
Podstawowy numer produktu
IRF7351
Multimedia i pliki do pobrania
TYP ZASOBÓW
POŁĄCZYĆ
Specyfikacje
IRF7351PBF
Inne powiązane dokumenty
System numeracji części IR
Moduły szkoleń produktowych
Układy scalone wysokiego napięcia (sterowniki bramek HVIC)
Polecane produkty
Systemy przetwarzania danych
Specyfikacje HTML
IRF7351PBF
model EDA/CAD
IRF7351TRPBF firmy Ultra Librarian
Model symulacyjny
Model przyprawy IRF7351
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
ATRYBUTY
OPISAĆ
Status RoHS
Zgodny ze specyfikacją ROHS3
Poziom czułości na wilgoć (MSL)
1 (bez ograniczeń)
status REACH
Produkty nieobjęte REACH
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
